Jurnal Online - http://www.jurnal.lipi.go.id

PANTULAN INFRAMERAH PADA BATASMUKA GAN/AL2O3

Hasanudin1,2, K. Saeki2, Y. Iida2 dan N. Kuroda2

1Fakultas Teknik, Universitas Tanjungpura, Pontianak 78124, Indonesia
2Dept. of Mechanical Eng. & Material Sci., Fac. of Eng. Kumamoto University, Jepang

Abstrak
Telah dilakukan pengukuran pantulan inframerah pada permukaan kristal GaN yang ditumbuhkan di atas substrat $\mathrm{Al_2O_3}$. Hasil pengukuran ini dianalisa dengan dua model, yaitu model satu lapis dan dua lapis. Pada model pertama lapisan kristal GaN dianggap serangam, sedangkan pada model kedua kristal GaN dianggap terdiri dari dua lapisan dengan sifat berbeda, yaitu lapisan di dekat permukaan dan lapisan di dekat batas muka. Hasil analisa menunjukkan bahwa model dua lapis lebih cocok dengan hasil eksperimen. Tetapan redaman $\gamma$ yang diperoleh dari analisa ini menunjukkan bahwa lapisan di sekitar batas muka yang tebalnya jauh melebihi asumsi terhadap tebal lapisan penyangga memiliki kualitas kristal yang lebih rendah dari lapisan di sekitar permukaan.

Publikasi : Jurnal Fisika HFI A6 (2005) 0207
Naskah lengkap : format PDF (161.701 bita)
Kontak : Hasanudin
Keterangan lain : 5 hal., bahasa Indonesia