Jurnal Online - http://www.jurnal.lipi.go.id

LAPISAN TIPIS A-SI1-XCX:H HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING DENGAN TARGET SILIKON DAN GRAFIT : STUDI PERBANDINGAN KARAKTERISTIK OPTIS DAN DISORDER TERHADAP KOMPOSISI

1Rosari Saleh, 2Lusitra Munisa dan 1Dewi Marianty

1Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas Indonesia, Depok 16424, Indonesia
2Program Studi Ilmu Fisika, Program Pascasarjana Universitas Indonesia, Jakarta 10430, Indonesia

Abstrak
Lapisan tipis amorf silikon karbon terhidrogenasi (a-Si1-xCx:H) telah dibuat dengan metode deposisi sputtering baik dengan menggunakan target silikon dalam campuran gas Ar, H2 dan CH4 maupun dengan target grafit dalam campuran gas Ar dan H2. Karakteristik optis dan disorder lapisan tipis diperoleh dari hasil spektroskopi optis reflektansi dan transmitansi. Lapisan tipis hasil kedua jenis target memperlihatkan kecenderungan berkurangnya indeks bias, meningkatnya gap optis dan disorder terhadap komposisi. Karakteristik optis dan disorder lapisan tipis hasil target silikon lebih bervariasi terhadap komposisi dibandingkan hasil target grafit, yang merupakan pengaruh dari perbedaan jumlah hidrogen yang berasal dari gas metan sebagai sumber karbon pada deposisi lapisan tipis hasil target silikon.

Publikasi : Jurnal Fisika HFI A4 (2003) 0208
Naskah lengkap : format PDF (136.895 bita)
Kontak : penulis
Keterangan lain : 5 hal., bahasa Indonesia