Jurnal Online - http://www.jurnal.lipi.go.id

KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS AGINSE2 YANG DIBUAT DENGAN CARA EVAPORASI THERMAL

Nurlely Koesoemah dan A. Harsono Soepardjo

Jurusan Fisika, FMIPA UI, Kampus UI Depok, Depok 16424, Indonesia

Abstrak
Dengan metode evaporasi termal telah dibuat lapisan tipis dari bahan ingot AgInSe2. Karakterisasi dengan menggunakan difraktometer sinar-X didapatkan dua fasa yaitu AgInSe2 dan AgIn5Se8. Parameter kisi lapisan tipis adalah a = b = 5,9097, c = 11,8146 dan c/a = 1,9993 struktur kristalnya adalah chalcopyrite. Dari hasil XRF didapatkan perbandingan komposisi unsurnya Ag:In: Se = 52,12 %:34,86 % : 3,00 %. Ketebalan lapisan tipis AgInSe2 ( 0,23 dan 0,41 )mm. Dari spektrum reflektansi dengan panjang gelombang (300 - 800)nm didapatkan nilai indeks bias riel (n) antara (2,14 - 3,00), indeks bias imajiner (k) (5,78 - 9,23 ) x 10-2. Nilai fungsi dielektrik riel dan imajiner berturut-turut adalah 4,57 - 8,99 dan 0,163 - 0,235 serta koefisien absorpsi sebesar (1,2 - 3,0 ) x 104 /cm. Resistivitas lapisan tipis yang didapatkan dari perhitungan adalah (1,1 - 6,62 ) x 10-4 Ohm.cm.

Publikasi : Jurnal Fisika HFI Suplemen Prosiding A5 (2002) 0568
Naskah lengkap : format PDF (250.280 bita)
Kontak : penulis
Keterangan lain : 5 hal., bahasa Indonesia