Jurnal Online - http://www.jurnal.lipi.go.id

PENGARUH TEMPERATUR DEPOSISI TERHADAP STRUKTUR KRISTAL DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS GAN DENGAN PULSED LASER ABLATION DEPOSITION

D.Rusdiana1, I.G.A.P. Adnyana2, H. Widiyandari3, Istiroyah4, Sukirno5 , M. Budiman5, dan M. Barmawi5

1Departemen Fisika, FPMIPA UPI, Bandung, Indonesia
2Departemen Fisika, FMIPA Universitas Udayana, Bali, Indonesia
3Departemen Fisika, FMIPA UNDIP, Semarang, Indonesia
4Departemen Fisika, FMIPA UNIBRAW, Malang, Indonesia
5Departemen Fisika, FMIPA ITB, Jl. Ganeca 10, Bandung, Indonesia

Abstrak
Telah ditumbuhkan film tipis GaN dengan ketebalan 54,8 - 77,1 nm di atas substrat sapphire (0001) dengan teknik pulsed laser deposition (PLD). Temperatur substrat pada proses deposisi divariasikan antara 650o sampai 700oC. Aliran gas nitrogen dan waktu deposisi selama deposisi film tipis GaN dibuat tetap yaitu 100 sccm dan 60 menit. Dari hasil karakterisasi XRD dan spektrometer UV-vis ditemukan bahwa kualitas film yang optimum terjadi pada temperatur deposisi 680oC, hal ini ditunjukkan dengan menyempitnya FWHM pada orientasi (0002) yaitu sekitar 0.39o dan celah pita energi sebesar 3,40 eV.

Publikasi : Jurnal Fisika HFI Suplemen Prosiding A5 (2002) 0576
Naskah lengkap : format PDF (128.353 bita)
Kontak : penulis
Keterangan lain : 4 hal., bahasa Indonesia