Jurnal Online - http://www.jurnal.lipi.go.id

PENUMBUHAN LAPISAN GASB DENGAN REAKTOR MOCVD

Marungkil Pasaribu

Jurusan Fisika, FMIPA Universitas Tadulako, Palu, Indonesia

Abstrak
Lapisan GaSb tanpa doping yang ditumbuhkan di atas substrat SI GaAs dengan reaktor metallorganic chemical vapor deposition (MOCVD) horizontal yang bertekanan atmosphir telah diselidiki. Trimethylgallium (TMGa) dan trimethylantimony (TMSb) digunakan sebagai sumber metalorganik penumbuh dengan temperatur penumbuhan 540oC. Perbandingan V/III divariasikan, dan pengaruhnya terhadap sifat listrik lapisan diselidiki. Lapisan ditemukan adalah bertipe-p dan berketebalan sekitar 2.35 um. Dari pengukuran dengan menggunakan Hall standart diketahui bahwa lapisan memiliki harga mobilitas dan konsentrasi pembawa muatan masing-masing 405 cm2V-1s-1 and 5.67 x 1016cm-3 pada suhu ruangan.

Publikasi : Jurnal Fisika HFI Suplemen Prosiding A5 (2002) 0577
Naskah lengkap : format PDF (163.450 bita)
Kontak : penulis
Keterangan lain : 4 hal., bahasa Indonesia