Jurnal Online - http://www.jurnal.lipi.go.id

STUDI STRUKTUR IKATAN SILIKON-KARBON PADA LAPISAN TIPIS AMORFSILIKON KARBON (A-SIC:H) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING

Rosari Saleh1 dan Lusitra Munisa2

1Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas Indonesia, Depok 16424
2Program Studi Ilmu Fisika, Program Pascasarjana Universitas Indonesia, Jakarta 10430

Abstrak
Absorpsi inframerah lapisan tipis amorf silikon karbon hasil deposisi metode DC Sputtering telah diukur sebelum dan setelah diimplantasi hidrogen. Kedua puncak absorpsi di sekitar 720 dan 780 cm-1 bergeser ke bilangan gelombang yang lebih tinggi dengan meningkatnya flow rate gas metan. Hasil analisis komposisi dan implantasi hidrogen menunjukkan bahwa kedua absorpsi di sekitar 720 dan 780 cm-1 merupakan vibrasi stretching Si-C. Absorpsi di sekitar 720 cm-1 berhubungan dengan vibrasi stretching Si-C dalam gugus H-Si-C sedangkan absorpsi di sekitar 780 cm-1 berhubungan dengan vibrasi stretching Si-C tanpa hidrogen. Gugus H-Si-C dominan terdapat pada lapisan tipis yang dideposisi dengan flow rate gas metan rendah.

Publikasi : Jurnal Fisika HFI A4 (2002) 0202
Naskah lengkap : format PDF (292.356 bita)
Kontak : penulis
Keterangan lain : 7 hal., bahasa Indonesia