Jurnal Online

lihat situs sponsor
 
Sabtu, 18 November 2017  
 
halaman sebelumnya »  

Jurnal Fisika Himpunan Fisika Indonesia
http://situs.jurnal.lipi.go.id/jfhfi/   -   http://jf.hfi.fisika.net

STUDI ETSA ANISOTROPIK SILIKON DENGAN LARUTAN CSOH

Goib Wiranto1, Totok M. S. Soegandi1, Amry Cahyadi2

1 Puslit Elektronika dan Telekomunikasi (P2ET) LIPI, Bandung, Indonesia
2 Institut Teknologi Nasional (ITENAS), Bandung, Indonesia

Abstrak
Dalam penelitian ini telah dipelajari karakteristik etsa anisotropik larutan CsOH terhadap silikon dengan orientasi (100). Tujuan dari karakterisasi ini adalah untuk mendapatkan kecepatan pengikisan (etching rate), serta mekanisme pembentukan alur V (V-groove). Studi dilakukan pada berbagai konsentrasi larutan CsOH (15 - 40 %) dan temperatur antara 70 - 90oC. Hasil dari studi ini menunjukkan bahwa kecepatan etsa menurun dengan naiknya konsentrasi larutan, dan meningkat dengan naiknya temperatur larutan. Sementara alur-V yang terbentuk pada silikon (100) dibatasi oleh bidang (110) dan (111) di permukaan, dan perpotongan antar bidang (111) di bagian dasar. Hasil dari studi ini akan diterapkan dalam fabrikasi divais sensor dan sistem mikrofluida.

Publikasi : Jurnal Fisika HFI Suplemen Prosiding A5 (2002) 0591 » halaman Daftar Isi
» kirim ke teman
» versi cetak
» permintaan versi cetak
Naskah lengkap : lisensi tertutup dalam format PDF (permintaan versi cetak)
Kontak : penulis
Keterangan lain : 6 hal., bahasa Indonesia » diakses 21.293 kali

  Dikelola oleh PDII LIPI Hak Cipta © 2000-2017 LIPI