Jurnal Online

lihat situs sponsor
 
Selasa, 21 November 2017  
 
halaman sebelumnya »  

Jurnal Fisika Himpunan Fisika Indonesia
http://situs.jurnal.lipi.go.id/jfhfi/   -   http://jf.hfi.fisika.net

STUDI STRUKTUR IKATAN SILIKON-KARBON PADA LAPISAN TIPIS AMORFSILIKON KARBON (A-SIC:H) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING

Rosari Saleh1 dan Lusitra Munisa2

1Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas Indonesia, Depok 16424
2Program Studi Ilmu Fisika, Program Pascasarjana Universitas Indonesia, Jakarta 10430

Abstrak
Absorpsi inframerah lapisan tipis amorf silikon karbon hasil deposisi metode DC Sputtering telah diukur sebelum dan setelah diimplantasi hidrogen. Kedua puncak absorpsi di sekitar 720 dan 780 cm-1 bergeser ke bilangan gelombang yang lebih tinggi dengan meningkatnya flow rate gas metan. Hasil analisis komposisi dan implantasi hidrogen menunjukkan bahwa kedua absorpsi di sekitar 720 dan 780 cm-1 merupakan vibrasi stretching Si-C. Absorpsi di sekitar 720 cm-1 berhubungan dengan vibrasi stretching Si-C dalam gugus H-Si-C sedangkan absorpsi di sekitar 780 cm-1 berhubungan dengan vibrasi stretching Si-C tanpa hidrogen. Gugus H-Si-C dominan terdapat pada lapisan tipis yang dideposisi dengan flow rate gas metan rendah.

Publikasi : Jurnal Fisika HFI A4 (2002) 0202 » halaman Daftar Isi
» kirim ke teman
» versi cetak
» permintaan versi cetak
Naskah lengkap : lisensi tertutup dalam format PDF (permintaan versi cetak)
Kontak : penulis
Keterangan lain : 7 hal., bahasa Indonesia » diakses 23.067 kali

  Dikelola oleh PDII LIPI Hak Cipta © 2000-2017 LIPI