Jurnal Online

lihat situs sponsor
 
Rabu, 22 November 2017  
 
halaman sebelumnya »  

Jurnal Fisika Himpunan Fisika Indonesia
http://situs.jurnal.lipi.go.id/jfhfi/   -   http://jf.hfi.fisika.net

KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS AGINSE2 YANG DIBUAT DENGAN CARA EVAPORASI THERMAL

Nurlely Koesoemah dan A. Harsono Soepardjo

Jurusan Fisika, FMIPA UI, Kampus UI Depok, Depok 16424, Indonesia

Abstrak
Dengan metode evaporasi termal telah dibuat lapisan tipis dari bahan ingot AgInSe2. Karakterisasi dengan menggunakan difraktometer sinar-X didapatkan dua fasa yaitu AgInSe2 dan AgIn5Se8. Parameter kisi lapisan tipis adalah a = b = 5,9097, c = 11,8146 dan c/a = 1,9993 struktur kristalnya adalah chalcopyrite. Dari hasil XRF didapatkan perbandingan komposisi unsurnya Ag:In: Se = 52,12 %:34,86 % : 3,00 %. Ketebalan lapisan tipis AgInSe2 ( 0,23 dan 0,41 )mm. Dari spektrum reflektansi dengan panjang gelombang (300 - 800)nm didapatkan nilai indeks bias riel (n) antara (2,14 - 3,00), indeks bias imajiner (k) (5,78 - 9,23 ) x 10-2. Nilai fungsi dielektrik riel dan imajiner berturut-turut adalah 4,57 - 8,99 dan 0,163 - 0,235 serta koefisien absorpsi sebesar (1,2 - 3,0 ) x 104 /cm. Resistivitas lapisan tipis yang didapatkan dari perhitungan adalah (1,1 - 6,62 ) x 10-4 Ohm.cm.

Publikasi : Jurnal Fisika HFI Suplemen Prosiding A5 (2002) 0568 » halaman Daftar Isi
» kirim ke teman
» versi cetak
» permintaan versi cetak
Naskah lengkap : lisensi tertutup dalam format PDF (permintaan versi cetak)
Kontak : penulis
Keterangan lain : 5 hal., bahasa Indonesia » diakses 22.240 kali

  Dikelola oleh PDII LIPI Hak Cipta © 2000-2017 LIPI