Jurnal Online

lihat situs sponsor
 
Minggu, 19 November 2017  
 
halaman sebelumnya »  

Jurnal Fisika Himpunan Fisika Indonesia
http://situs.jurnal.lipi.go.id/jfhfi/   -   http://jf.hfi.fisika.net

STUDI FOTOLUMINESENSI PADA LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF KARBIDA TERHIDROGENASI (A-SIC:H)

Amiruddin Kade1 dan Wilson W. Wenas2

1Program Studi Fisika, Universitas Tadulako, Kampus Bumi Tadulako Tondo, Palu, Indonesia
2Semiconductor research laboratoryJurusan Fisika ITB

Abstrak
Telah dilakukan karakterisasi fotoluminesensi (PL) terhadap lapisan tipis silikon amorf karbida terhidrogenasi (a-SiC:H) yang dideposisi dari gas SiH4 + CH4 dengan menggunakan metode PECVD pada temperatur 200C. Dari hasil karakterisasi fotoluminesensi diperoleh informasi bahwa peningkatan laju aliran CH4 berpengaruh terhadap peningkatan celah pita optik (1.77 eV - 2.23 eV), energi puncak PL (1.54 eV-1.90 eV) dan FWHM (0.21 eV - 0.37 eV). Hal ini menunjukkan korelasi positif pengaruh karbida terhadap sifat optik lapisan tipis a-SiC:H. Peningkatan jumlah karbon menyebabkan pula distribusi pusat rekombinasi radiatif menjadi melebar diantara celah pita sehingga terjadi peningkatan jumlah cacat (number of defect).

Publikasi : Jurnal Fisika HFI Suplemen Prosiding A5 (2002) 0575 » halaman Daftar Isi
» kirim ke teman
» versi cetak
» permintaan versi cetak
Naskah lengkap : lisensi tertutup dalam format PDF (permintaan versi cetak)
Kontak : penulis
Keterangan lain : 4 hal., bahasa Indonesia » diakses 22.571 kali

  Dikelola oleh PDII LIPI Hak Cipta © 2000-2017 LIPI