Jurnal Online

lihat situs sponsor
 
Rabu, 22 November 2017  
 
halaman sebelumnya »  

Jurnal Fisika Himpunan Fisika Indonesia
http://situs.jurnal.lipi.go.id/jfhfi/   -   http://jf.hfi.fisika.net

PENUMBUHAN LAPISAN GASB DENGAN REAKTOR MOCVD

Marungkil Pasaribu

Jurusan Fisika, FMIPA Universitas Tadulako, Palu, Indonesia

Abstrak
Lapisan GaSb tanpa doping yang ditumbuhkan di atas substrat SI GaAs dengan reaktor metallorganic chemical vapor deposition (MOCVD) horizontal yang bertekanan atmosphir telah diselidiki. Trimethylgallium (TMGa) dan trimethylantimony (TMSb) digunakan sebagai sumber metalorganik penumbuh dengan temperatur penumbuhan 540oC. Perbandingan V/III divariasikan, dan pengaruhnya terhadap sifat listrik lapisan diselidiki. Lapisan ditemukan adalah bertipe-p dan berketebalan sekitar 2.35 um. Dari pengukuran dengan menggunakan Hall standart diketahui bahwa lapisan memiliki harga mobilitas dan konsentrasi pembawa muatan masing-masing 405 cm2V-1s-1 and 5.67 x 1016cm-3 pada suhu ruangan.

Publikasi : Jurnal Fisika HFI Suplemen Prosiding A5 (2002) 0577 » halaman Daftar Isi
» kirim ke teman
» versi cetak
» permintaan versi cetak
Naskah lengkap : lisensi tertutup dalam format PDF (permintaan versi cetak)
Kontak : penulis
Keterangan lain : 4 hal., bahasa Indonesia » diakses 22.865 kali

  Dikelola oleh PDII LIPI Hak Cipta © 2000-2017 LIPI