Jurnal Online

lihat situs sponsor
 
Selasa, 21 November 2017  
 
halaman sebelumnya »  

Jurnal Fisika Himpunan Fisika Indonesia
http://situs.jurnal.lipi.go.id/jfhfi/   -   http://jf.hfi.fisika.net

PENUMBUHAN FILM TIPIS ALGAN DENGAN PA-MOCVD

Sugianto1,2, E. Suprianto1,3, N. Wendri1,4, H. Sutanto1,5, M. Budiman1, P. Arifin1 dan M.Barmawi1

1Lab. Fisika Material Elektronik, Departemen Fisika, Institut Teknologi Bandung, Jl. Ganesa 10, Bandung 40132, Bandung, Indonesia
2Jurusan Fisika, Universitas Negeri Semarang, Semarang, Indonesia
3Jurusan Fisika, Universitas Jember, jember, Indonesia
4Jurusan Fisika, Universitas Udayana, Denpasar, Indonesia
5Jurusan Fisika, Universitas Diponegoro, Semarang, Indonesia

Abstrak
Film tipis AlxGa1-xN telah ditumbuhkan di atas substrate sapphire (0001) dengan plasma assisted metal-organic chemical vapor deposition (PA-MOCVD). Radikal nitrogen dihasilkan oleh plasma gas nitrogen, sebagai prekursor golongan III digunakan trimethylgallium (TMGa) dan trimethyl-aluminium (TMAl). Pengukuran energi dispersive x-ray (EDX) menunjukkan bahwa fraksi molar Al(x) bergantung secara linier terhadap fraksi molar fase uap TMAl/(TMGa + TMAl). Deviasi celah pita energi dari kebergantungan linier pada x telah diteliti yang menunjukkan adanya deviasi melengkung menurun (downward bowing) dengan parameter bowing b = 1,3 0,08 eV. Resistitas film bertambah besar dan konsentrasi elektron berkurang dengan bertambahnya x.

Publikasi : Jurnal Fisika HFI Suplemen Prosiding A5 (2002) 0586 » halaman Daftar Isi
» kirim ke teman
» versi cetak
» permintaan versi cetak
Naskah lengkap : lisensi tertutup dalam format PDF (permintaan versi cetak)
Kontak : penulis
Keterangan lain : 5 hal., bahasa Indonesia » diakses 22.413 kali

  Dikelola oleh PDII LIPI Hak Cipta © 2000-2017 LIPI