Jurnal Online

lihat situs sponsor
 
Minggu, 19 November 2017  
 
halaman sebelumnya »  

Jurnal Fisika Himpunan Fisika Indonesia
http://situs.jurnal.lipi.go.id/jfhfi/   -   http://jf.hfi.fisika.net

PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS C-SI:H TIPE P, I DAN N DENGAN SISTEM HOT WIRE PECVD

Syamsu1, Darsikin1, Iqbal1, Jusman1, T. Winata2, Sukirno2 dan M. Barmawi2

1Program Studi Fisika, FKIP Untad, Kampus Bumi Tadulako Tondo, Palu 94118, Indonesia
2Laboratorium Fisika Material Elektronik, Jurusan Fisika ITB, Bandung, Indonesia

Abstrak
Telah ditumbuhkan lapisan tipis Mikrokristal Silikon Terhidrogenasi (uc-Si:H) tipe p, i dan n di atas wafer silikon dengan sistem Hot Wire Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (HW-PECVD). Gas Silan (SiH4) 10 % dalam gas Hidrogen (H2) digunakan sebagai sumber gas dan gas posphin (PH3) dan Diboron (B2H6) 100 % dalam gas H2 digunakan sebagai dopan gas. Laju deposisi, sifat listrik dan struktur kristal dianalisis melalui ketebalan lapisan, konduktivitas gelap dan struktur kristalnya. Laju deposisi lapisan tipe p, i dan n masing-massing 9,38 /s , 12,14 /s dan 10,96 /s untuk temperatur substrat 200oC pada laju aliran SiH4 70 sccm dan temperatur filamen ~ 1000oC. Dibandingkan dengan laju deposisi pada sistem PECVD biasa (~ 0,23 /s), laju deposisi pada sistem HW-PECVD lebih tinggi. Konduktivitas gelap lapisan tipis uc-Si:H tipe-p, i dan n yang diperoleh masing-masing sebesar 2,50 10-2 S/cm , 5,47 10-6 S/cm dan 2,91 10-2 S/cm. Dibandingkan dengan konduktivitas gelap lapisan tipis a-Si:H (dalam orde 10-9 S/cm), maka konduktivitas gelap yang diperoleh lebih tinggi. Hasil karakterisasi XRD lapisan tipis yang ditumbuhkan pada temperatur filamen sekitar 1000oC menunjukkan kehadiran struktur uc-Si:H yang ditandai dengan adanya puncak spektrum pada orientasi kristal <111>, <220>, dan <311>. Hasil karakterisasi SEM juga menunjukkan adanya butiran kristal.

Publikasi : Jurnal Fisika HFI Suplemen Prosiding A5 (2002) 0589 » halaman Daftar Isi
» kirim ke teman
» versi cetak
» permintaan versi cetak
Naskah lengkap : lisensi tertutup dalam format PDF (permintaan versi cetak)
Kontak : penulis
Keterangan lain : 4 hal., bahasa Indonesia » diakses 20.880 kali

  Dikelola oleh PDII LIPI Hak Cipta © 2000-2017 LIPI