Jurnal Online

lihat situs sponsor
 
Rabu, 22 November 2017  
 
halaman sebelumnya »  

Jurnal Fisika Himpunan Fisika Indonesia
http://situs.jurnal.lipi.go.id/jfhfi/   -   http://jf.hfi.fisika.net

PENUMBUHAN FILM TIPIS BI3.25LA0.75TIO3 FERROELECTRIC PADA SUBSTRATE SI(100) DENGAN METODA PULSED LASER ABLASION DEPOSITION DAN PENERAPANNYA PADA KAPASITOR.

Abdulloh Fuad1,2), Mohammad Barmawi2), dan Pepen Arifin2).

1)Laboratorium Fisika Material, Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Negeri Malang
Jl. Surabaya 6, Malang 65145, Indonesia
2)Laboratorium Fisika Material Elektronik, Jurusan Fisika FMIPA, Institut Teknologi Bandung, Indonesia

Abstrak
Telah dilakukan penelitian penumbuhan film tipis Bi3.25La0.75Ti3O12 (BLT) pada substrate silicon (100) type-P melalui teknik Pulsed Laser Ablation Deposition (PLAD). Hasil penumbuhna filim tipis tersebut selanjutnya dikarakterisasi sifat-sifat struktur kristalnya dengan XRD. Hasil analisa XRD menunjukkan bahwa penumbuhan kristal film tipis BLT cenderung ke arah sumbu c (00c) dengan parameter kisi sebesar a = 5.41 Angstrom, b = 5.45 Angstrom and c = 33.88 Angstrom. Sedangkan untuk mempelajari sifat listriknya dilakukan pengukuran karakteristik arus-tegangan (I-V) dan karakteristik kapasitansi-tegangan (C-V). Rapat kebocoran arus dari kedua struktur ini film BLT cukup baik yaitu dalam orde 10-9 Angstrom/cm2 untuk struktur film BLT/Si(100) dan dalam orde 10-10 Angstrom/cm2 untuk struktur film BLT/STO/Si(100). Rapat keadaan muatan permukaan untuk struktur film Au/BLT/Si(100) dan Au/BLT/STO/Si(100) masing-masing sebesar 7,56 x 1011 cm-2 eV-1 dan 3,38 x 1011 cm-2 eV-1.

Publikasi : Jurnal Fisika HFI Suplemen Prosiding A5 (2002) 05101 » halaman Daftar Isi
» kirim ke teman
» versi cetak
» permintaan versi cetak
Naskah lengkap : lisensi tertutup dalam format PDF (permintaan versi cetak)
Kontak : penulis
Keterangan lain : 4 hal., bahasa Indonesia » diakses 20.566 kali

  Dikelola oleh PDII LIPI Hak Cipta © 2000-2017 LIPI