Jurnal Online

lihat situs sponsor
 
Senin, 20 November 2017  
 
halaman sebelumnya »  

Jurnal Fisika Himpunan Fisika Indonesia
http://situs.jurnal.lipi.go.id/jfhfi/   -   http://jf.hfi.fisika.net

KARAKTERISASI DIFRAKSI SINAR-X DARI LAPISAN EPITAKSI BERBASIS GAINASP/INP DAN GAINASP/GAAS UNTUK DIVAIS FOTONIK

Dwi Bayuwati1 dan Bambang Sugeng2

1Pusat Penelitian Fisika LIPI, Kawasan PUSPIPTEK Serpong, Tangerang 15314, Indonesia
2Pusat Penelitian dan Pengembangan Ilmu dan Teknologi Bahan BATAN, Kawasan PUSPIPTEK Serpong, Tangerang 15314, Indonesia

Abstrak
Pada makalah ini diuraikan proses karakterisasi difraksi sinar-X dari lapisan epitaksi berbasis material GaInAsP/InP dan GaInAsP/GaAs yang hendak dikembangkan untuk divais fotonik. Bahan-bahan ini adalah sistem material yang umum digunakan untuk fabrikasi divais fotonik terutama untuk keperluan komunikasi serat optik atau instrumentasi optik dan masing-masing beroperasi pada panjang gelombang infra merah (0.9 - 1.6 um) serta cahaya tampak (merah ~ 0.67 um). Struktur dasar divais fotonik ditumbuhkan pada substrat yang sesuai dengan teknik LPE (liquid phase epitaxy). Pemeriksaan dengan teknik difraksi sinar-X ini adalah salah satu proses karakterisasi yang perlu dilakukan diantara proses karakterisasi lainnya seperti pengukuran spektrum fotoluminesensi serta pengamatan dengan SEM (scanning electron microscope). Karakterisasi difraksi sinar-X telah dilakukan terhadap substrat InP dan GaAs masing-masing memberikan harga parameter kisi masing-masing 5.8324 A0 dan 5.6540 A0 serta orientasi kristal (100). Pemeriksaan dilakukan juga terhadap lapisan epitaksi GaInAsP yang ditumbuhkan diatas substrat GaAs atau InP baik untuk lapisan yang bagus (Da/a memenuhi syarat penumbuhan lapisan kristal untuk divais fotonik; nilainya ~ 0.1%) maupun untuk lapisan yang kurang bagus. Pemeriksaan difraksi sinar-X ini dilakukan untuk memperoleh informasi secara cepat mengenai kualitas substrat/lapisan epitaksi sehingga dapat ditentukan apakah sampel perlu diproses lebih lanjut atau tidak.

Publikasi : Jurnal Fisika HFI Suplemen Prosiding A5 (2002) 0579 » halaman Daftar Isi
» kirim ke teman
» versi cetak
» permintaan versi cetak
Naskah lengkap : lisensi tertutup dalam format PDF (permintaan versi cetak)
Kontak : penulis
Keterangan lain : 5 hal., bahasa Indonesia » diakses 18.414 kali

  Dikelola oleh PDII LIPI Hak Cipta © 2000-2017 LIPI