Jurnal Online

lihat situs sponsor
 
Minggu, 19 November 2017  
 
halaman sebelumnya »  

Jurnal Fisika Himpunan Fisika Indonesia
http://situs.jurnal.lipi.go.id/jfhfi/   -   http://jf.hfi.fisika.net

DIODA SCHOTTKY AU/N-GAN DIATAS SI (111) DITUMBUHKAN DENGAN METODA PLASMA ASSISTED MOCVD

H. Sutanto1,2, N. Wendri1,3, E. Supriyanto1,4, Sugianto1,5, M. Budiman1, P. Arifin1 dan M. Barmawi1

1Laboratorium Fisika Material Elektronik, Departemen Fisika FMIPA-ITB, Jl. Ganesa 10, Bandung 40132, Indonesia
2Jurusan Fisika, FMIPA Universitas Diponegoro, Semarang, Indonesia
3Jurusan Fisika, FMIPA Universitas Udayana, Denpasar, Indonesia
4Jurusan Fisika, FMIPA Universitas Jember, Jember, Indonesia
5Jurusan Fisika, FMIPA Universitas Negeri Semarang, Semarang, Indonesia

Abstrak
Dioda Schottky Au/n-GaN diatas Si (111) ditumbuhkan dengan Plasma Assisted MOCVD telah dibuat dan dikarakterisasi. Evaporasi emas (Au) sebagai kontak barier Schottky dan aluminium (Al) untuk kontak ohmic dalam kondisi vakum. Kontak ohmic Al selanjutnya di rapid thermal annealing pada temperatur 450oC dengan dialiri gas N2. Karakterisasi sifat listrik dilakukan dengan pengukuran I-V dan C-V pada temperatur 300oK. Diperoleh besarnya tinggi barier Schottky dari pengukuran I-V dan C-V masing-masing berturut-turut 0,43 eV; 0,47 eV dan 0,44 eV; 1,13 eV untuk dioda Schottky Au/n-GaN dengan temperatur penumbuhan film tipis GaN 625oC dan 675oC.

Publikasi : Jurnal Fisika HFI Suplemen Prosiding A5 (2002) 0584 » halaman Daftar Isi
» kirim ke teman
» versi cetak
» permintaan versi cetak
Naskah lengkap : lisensi tertutup dalam format PDF (permintaan versi cetak)
Kontak : penulis
Keterangan lain : 6 hal., bahasa Indonesia » diakses 23.715 kali

  Dikelola oleh PDII LIPI Hak Cipta © 2000-2017 LIPI