Jurnal Online

lihat situs sponsor
 
Minggu, 19 November 2017  
 
halaman sebelumnya »  

Jurnal Fisika Himpunan Fisika Indonesia
http://situs.jurnal.lipi.go.id/jfhfi/   -   http://jf.hfi.fisika.net

STUDI PENGEMBANGAN SEL SURYA BERBASIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI STRUKTUR BARU DENGAN TEKNIK DOPING DELTA

J. D.Malago1, A.Supu1, Ida Usman1, T. Winata2, W.W. Wenas2, dan M. Barmawi2.

1Jurusan Fisika Universitas Negeri Makassar, Makassar, Indonesia
2Departemen Fisika Institut Teknologi Bandung, Indonesia

Abstrak
Telah berhasil dioptimasi lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi tipe-p dan tipe-n doping delta untuk aplikasi sel surya p-i-n struktur baru menggunakan reaktor plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Gas yang digunakan adalah gas SiH4 untuk tipe-i, gas B2H6 untuk dopan tipe-p dan gas PH3 untuk dopan tipe-n. Dari hasil optimasi diperoleh lapisan tipis tipe-p dan tipe-n doping delta dengan konduktivitas gelap tinggi, yaitu masing-masing 1,3 x 10-6 dan 9,2 x 10-6 S cm-1 dan celah pita optik lebar, yaitu masing-masing 2,36 dan 2,20 eV. Lapisan tipis ini selanjutnya diaplikasikan pada divais sel surya p-i-n struktur konvensional. Hasil pengukuran karakteristiknya menunjukan bahwa divais ini mempunyai VOC = 0,63 volt, ISC = 4,05 mA cm-2 setelah disinari menggunakan lampu Xenon dengan intensintas 31,34 mW cm-2 dan luas sel 0,12 cm-2. Hasil ini menunjukan bahwa lapisan tipis tipe-p dan tipe-n yang telah dikembangkan mempunyai prospek yang baik untuk aplikasi sel surya struktur baru.

Publikasi : Jurnal Fisika HFI Suplemen Prosiding A5 (2002) 0594 » halaman Daftar Isi
» kirim ke teman
» versi cetak
» permintaan versi cetak
Naskah lengkap : lisensi tertutup dalam format PDF (permintaan versi cetak)
Kontak : penulis
Keterangan lain : 5 hal., bahasa Indonesia » diakses 18.534 kali

  Dikelola oleh PDII LIPI Hak Cipta © 2000-2017 LIPI